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晶圓正面金屬化技術FSM

 

由於MOSFET具備高開關切換速度,低輸入阻抗與低功率耗損之特性,必須承受大電流,因此使用銅夾焊接 (Clip Bond)加大電流路徑來取代金屬打線焊接(Wire Bond),會更好的降低導線電阻與RDS(on)。而正面金屬化工藝的目的,就是由化鍍方式形成UBM,以滿足後續封裝使用Clip Bond的條件。 

 


化學鍍工藝流程

 

1. 鋁墊活化(Al Pad Activation);

 

2. 化學鍍鎳(Ni Plating);

 

3. 鍍薄金(Au Plating)或鈀金(PdAu Plating)。

 


 

我們的服務優勢
1. 量產能力: 8、12inch化學鍍;

 

2. 成熟的工藝製程&嚴格的過程管控;


3. Clip產品全流程工藝滿足,提升效率,降低成本。

 


 

正面金屬化後圖示:

 

 

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