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晶背减薄及金属化技术BGBM

 

BGBM工艺广泛应用于各种类型的晶圆,包括P型和N型

 

其优势包括:通过背面减薄和金属化,可提高芯片的热扩散效率、电性能和机械性能,减小封装体积,降低导线内阻。

 


关键工艺流程:

 

1. 晶圆研磨流程(Wafer Grinding)

 

2. 湿法蚀刻流程(Wet Etching)

 

3. 金属蒸镀流程 (Metal Evaporation for Backside Metallization)

 

 


关键能力及服务:

 

1. 产品规格:满足4、5、6、8、12 inch BGBM减薄背金需求;


2. 量产减薄能力:4-8inch  100um,12inch 150um ;


3. 超薄(2mil)晶圆BGBM制程研发中;


4. 可提供晶圆切割、晶圆测试等订制化服务。

 


 

 


我们的生产示例:

 

wafer thinning             wafer thinning

 

             

             

 

 

        

 

 

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