体系认证
Product Technical Services
产品技术服务
晶圆正面金属化技术FSM
由于MOSFET具备高开关切换速度，低输入阻抗与低功率耗损之特性，必须承受大电流，因此使用铜夹焊接 (Clip Bond)加大电流路径来取代金属打线焊接(Wire Bond)，会更好的降低导线电阻与RDS(on)。而正面金属化工艺的目的，就是由化镀方式形成UBM，以满足后续封装使用Clip Bond的条件。
化学镀工艺流程
1. 铝垫活化(Al Pad Activation)；
2. 化学镀镍(Ni Plating);
3. 镀薄金(Au Plating)或钯金(PdAu Plating)。
我们的服务优势
1. 量产能力: 8、12inch化学镀；
2. 成熟的工艺制程&严格的过程管控；
3. Clip产品全流程工艺满足，提升效率，降低成本。
正面金属化后图示：
